Каталог товаров
Назад

BTS7904BATMA1

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO263


BTS7904BATMA1 характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия OptiMOS™
Part Status Obsolete
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-263-6, D?Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 69W, 96W
Исполнение корпуса PG-TO263-5-1
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 55V, 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.7 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 121nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6100pF @ 25V

Характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия OptiMOS™
Part Status Obsolete
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-263-6, D?Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 69W, 96W
Исполнение корпуса PG-TO263-5-1
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 55V, 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.7 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 121nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6100pF @ 25V

BTS7904BATMA1

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO263
BTS7904BATMA1
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на BTS7904BATMA1. Транзисторы — полевые — массивы производства Infineon Technologies доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы BTS7904BATMA1 купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.

Недавно просмотренные


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
22 шт.
от 1079 ₽
+ 161850 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
82 шт.
от 883 ₽
+ 264900 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 883 ₽
+ 264900 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
29 шт.
от 664 ₽
+ 199200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
329 шт.
от 978 ₽
+ 293400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
99 шт.
от 880 ₽
+ 264000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
235 шт.
от 651 ₽
+ 195300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
43 шт.
от 585 ₽
+ 175500 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
520 шт.
от 651 ₽
+ 195300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
3057 шт.
от 588 ₽
+ 176400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
243 шт.
от 651 ₽
+ 195300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
18 шт.
от 588 ₽
+ 176400 баллов