BSZ0910NDXTMA1 характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.9W (Ta), 31W (Tc)
Исполнение корпуса	PG-WISON-8
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	9.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 9A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.9W (Ta), 31W (Tc)
Исполнение корпуса	PG-WISON-8
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	9.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 9A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 15V

BSZ0910NDXTMA1

BSZ0910NDXTMA1 характеристики