BSS84PH6433XTMA1 от 66 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23, Infineon Technologies

BSS84PH6433XTMA1 характеристики	Выбрать все
Серия	SIPMOS®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PG-SOT23-3
Рассеивание мощности (Макс)	360mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 170mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	19pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	SIPMOS®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PG-SOT23-3
Рассеивание мощности (Макс)	360mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 170mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	19pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V