BSS84AK-BR характеристики	Выбрать все
Производитель	Nexperia USA Inc.
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Obsolete
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-236AB
Рассеивание мощности (Макс)	1.14W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	50V
Ток стока (Id) @ 25°C	180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 Ohm @ 100mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.35nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	36pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Nexperia USA Inc.
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Obsolete
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-236AB
Рассеивание мощности (Макс)	1.14W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	50V
Ток стока (Id) @ 25°C	180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 Ohm @ 100mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.35nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	36pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

BSS84AK-BR

BSS84AK-BR характеристики