BSS8402DW-7-F характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	200mW
Исполнение корпуса	SOT-363
Base Part Number	BSS8402DW
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V, 50V
Ток стока (Id) @ 25°C	115mA, 130mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 Ohm @ 50mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	200mW
Исполнение корпуса	SOT-363
Base Part Number	BSS8402DW
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V, 50V
Ток стока (Id) @ 25°C	115mA, 130mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 Ohm @ 50mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V

BSS8402DW-7-F

BSS8402DW-7-F характеристики