BSS84,215 характеристики	Выбрать все
Производитель	Nexperia USA Inc.
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-236AB (SOT23)
Рассеивание мощности (Макс)	250mW (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	50V
Ток стока (Id) @ 25°C	130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 Ohm @ 130mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	45pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Nexperia USA Inc.
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-236AB (SOT23)
Рассеивание мощности (Макс)	250mW (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	50V
Ток стока (Id) @ 25°C	130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 Ohm @ 130mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	45pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

BSS84,215

BSS84,215 характеристики