BSP372L6327HTSA1 характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	SIPMOS®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-261-4, TO-261AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PG-SOT223-4
Рассеивание мощности (Макс)	1.8W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	310 mOhm @ 1.7A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	520pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	±14V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	SIPMOS®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-261-4, TO-261AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PG-SOT223-4
Рассеивание мощности (Макс)	1.8W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	310 mOhm @ 1.7A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	520pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	±14V

BSP372L6327HTSA1

BSP372L6327HTSA1 характеристики