BSO612CVGHUMA1 характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	SIPMOS®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2W
Исполнение корпуса	PG-DSO-8
Base Part Number	BSO612
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	340pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	SIPMOS®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2W
Исполнение корпуса	PG-DSO-8
Base Part Number	BSO612
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	340pF @ 25V

BSO612CVGHUMA1

BSO612CVGHUMA1 характеристики