Каталог товаров
Назад

BSO612CV

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC


BSO612CV характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия SIPMOS®
Part Status Obsolete
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 2W
Исполнение корпуса P-DSO-8
Base Part Number BSO612
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 25V

Характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия SIPMOS®
Part Status Obsolete
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 2W
Исполнение корпуса P-DSO-8
Base Part Number BSO612
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 25V

BSO612CV

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC
BSO612CV
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на BSO612CV. Транзисторы — полевые — массивы производства Infineon Technologies доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы BSO612CV купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
22 шт.
от 1079 ₽
+ 161850 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
82 шт.
от 883 ₽
+ 264900 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 883 ₽
+ 264900 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
29 шт.
от 664 ₽
+ 199200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
329 шт.
от 978 ₽
+ 293400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
99 шт.
от 880 ₽
+ 264000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
235 шт.
от 651 ₽
+ 195300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
43 шт.
от 585 ₽
+ 175500 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
520 шт.
от 651 ₽
+ 195300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
3057 шт.
от 588 ₽
+ 176400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
243 шт.
от 651 ₽
+ 195300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
18 шт.
от 588 ₽
+ 176400 баллов