BSO215C характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	SIPMOS®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 3.7A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	246pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	SIPMOS®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 3.7A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	246pF @ 25V

BSO215C

BSO215C характеристики