BSO211PNTMA1 характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2W
Исполнение корпуса	P-DSO-8
Base Part Number	BSO211
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	67 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2W
Исполнение корпуса	P-DSO-8
Base Part Number	BSO211
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	67 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 15V

BSO211PNTMA1

BSO211PNTMA1 характеристики