BSO203PHXUMA1 характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.6W
Исполнение корпуса	P-DSO-8
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3750pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.6W
Исполнение корпуса	P-DSO-8
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3750pF @ 15V

BSO203PHXUMA1

BSO203PHXUMA1 характеристики