BSO150N03MDGXUMA1 характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.4W
Исполнение корпуса	PG-DSO-8
Base Part Number	BSO150N03
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 9.3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.4W
Исполнение корпуса	PG-DSO-8
Base Part Number	BSO150N03
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 9.3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 15V

BSO150N03MDGXUMA1

BSO150N03MDGXUMA1 характеристики