BSL806NH6327XTSA1 характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	500mW
Исполнение корпуса	PG-TSOP6-6
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate, 1.8V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	57 mOhm @ 2.3A, 2.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	750mV @ 11µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.7nC @ 2.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	259pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	500mW
Исполнение корпуса	PG-TSOP6-6
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate, 1.8V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	57 mOhm @ 2.3A, 2.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	750mV @ 11µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.7nC @ 2.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	259pF @ 10V

BSL806NH6327XTSA1

BSL806NH6327XTSA1 характеристики