BSL308CH6327XTSA1 от 146 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 2,3/-2А; 0,5Вт, Infineon Technologies

BSL308CH6327XTSA1 характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	500mW
Исполнение корпуса	PG-TSOP6-6
Тип полевого транзистора	N and P-Channel Complementary
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	57 mOhm @ 2.3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 11µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	275pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	500mW
Исполнение корпуса	PG-TSOP6-6
Тип полевого транзистора	N and P-Channel Complementary
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	57 mOhm @ 2.3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 11µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	275pF @ 15V