BSL215PL6327HTSA1 Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSOP-6, Infineon Technologies

BSL215PL6327HTSA1 характеристики	Выбрать все
Серия	OptiMOS™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	500mW
Исполнение корпуса	PG-TSOP6-6
Base Part Number	BSL215
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 11µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.55nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	346pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	OptiMOS™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	500mW
Исполнение корпуса	PG-TSOP6-6
Base Part Number	BSL215
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 11µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.55nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	346pF @ 15V