Каталог товаров
Назад

BSL214NH6327XTSA1

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP


BSL214NH6327XTSA1 характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Part Status Active
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 500mW
Исполнение корпуса PG-TSOP6-6
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate, 2.5V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 3.7µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.8nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 143pF @ 10V

Характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Part Status Active
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 500mW
Исполнение корпуса PG-TSOP6-6
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate, 2.5V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 3.7µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.8nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 143pF @ 10V

BSL214NH6327XTSA1

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP
BSL214NH6327XTSA1
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка BSL214NH6327XTSA1 по России

Транзисторы — полевые — массивы BSL214NH6327XTSA1 Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить BSL214NH6327XTSA1 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
7 шт.
от 1135 ₽
+ 170250 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
75 шт.
от 928 ₽
+ 278400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
47 шт.
от 928 ₽
+ 278400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
19 шт.
от 698 ₽
+ 209400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
326 шт.
от 1028 ₽
+ 308400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
83 шт.
от 906 ₽
+ 67950 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
377 шт.
от 657 ₽
+ 98550 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
33 шт.
от 615 ₽
+ 184500 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
46 шт.
от 657 ₽
+ 98550 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
1224 шт.
от 618 ₽
+ 185400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
332 шт.
от 657 ₽
+ 98550 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
58 шт.
от 593 ₽
+ 88950 баллов