Каталог товаров
Назад

BSL214NH6327XTSA1

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP


BSL214NH6327XTSA1 характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Part Status Active
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 500mW
Исполнение корпуса PG-TSOP6-6
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate, 2.5V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 3.7µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.8nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 143pF @ 10V

Характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Part Status Active
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 500mW
Исполнение корпуса PG-TSOP6-6
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate, 2.5V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 3.7µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.8nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 143pF @ 10V

BSL214NH6327XTSA1

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP
BSL214NH6327XTSA1
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на BSL214NH6327XTSA1. Транзисторы — полевые — массивы производства Infineon Technologies доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы BSL214NH6327XTSA1 купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
7 шт.
от 1124 ₽
+ 168600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
75 шт.
от 919 ₽
+ 275700 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
47 шт.
от 919 ₽
+ 275700 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
19 шт.
от 691 ₽
+ 207300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
326 шт.
от 1018 ₽
+ 305400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
83 шт.
от 897 ₽
+ 67275 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
377 шт.
от 650 ₽
+ 97500 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
33 шт.
от 609 ₽
+ 182700 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
46 шт.
от 650 ₽
+ 97500 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
1224 шт.
от 612 ₽
+ 183600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
182 шт.
от 650 ₽
+ 97500 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
58 шт.
от 587 ₽
+ 88050 баллов