BSH201,215 Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; 170мВт; SOT23,TO236AB, Nexperia USA Inc.

BSH201,215 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-236AB (SOT23)
Рассеивание мощности (Макс)	417mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 160mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	70pF @ 48V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-236AB (SOT23)
Рассеивание мощности (Макс)	417mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 160mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	70pF @ 48V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V