+7 (495) 133-39-03 | info@zener.ru
+7 (495) 133-39-03
корзина
Нет товаров
Электронные компоненты оптом и в розницу
корзина
Нет товаров
Каталог товаров
Назад
Все категории
Назад

BSC0911NDATMA1

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 2,5Вт; PG-TISON-8
388 ₽
цена с НДС
  • 1 шт
    388 ₽
  • 10 шт
    249 ₽
  • 100 шт
    170 ₽
  • 500 шт
    135 ₽
  • 1000 шт
    123 ₽
  • 2500 шт
    121 ₽
  • 5000 шт
    115 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 388 ₽
При покупке кэшбэк 58 баллов
Добавить в корзину
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

BSC0911NDATMA1 характеристики
Серия OptiMOS™
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerTDFN
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 1W
Исполнение корпуса PG-TISON-8
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate, 4.5V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 25V
Ток стока (Id) @ 25°C 18A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 12V
  • Производитель
    Infineon Technologies

Характеристики
Серия OptiMOS™
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerTDFN
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 1W
Исполнение корпуса PG-TISON-8
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate, 4.5V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 25V
Ток стока (Id) @ 25°C 18A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 12V

BSC0911NDATMA1

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 2,5Вт; PG-TISON-8
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Infineon Technologies

Бесплатно доставим BSC0911NDATMA1 в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — массивы BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить BSC0911NDATMA1 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
ALD1101ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
60 шт - 4-6 недель
от 1957 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 294
ALD1101PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
48 шт - 4-6 недель
от 1828 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 274
ALD1101SAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
41 шт - 4-6 недель
от 1418 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 213
ALD1102ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
28 шт - 4-6 недель
от 1957 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 294
ALD1102PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
18 шт - 4-6 недель
от 1828 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 274
ALD1102SAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
43 шт - 4-6 недель
от 1283 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 192
ALD1103PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
479 шт - 4-6 недель
от 1978 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 297
ALD1103SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
45 шт - 4-6 недель
от 1886 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 283
ALD1105PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
164 шт - 4-6 недель
от 1271 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 191
ALD1105SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
30 шт - 4-6 недель
от 1430 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 215
ALD1106PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
119 шт - 4-6 недель
от 1250 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 188
ALD1106SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
3011 шт - 4-6 недель
от 1430 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 215
Смотреть все
Выберите ваш город