+7 (495) 133-39-03 | info@zener.ru
+7 (495) 133-39-03
корзина
Нет товаров
Электронные компоненты оптом и в розницу
корзина
Нет товаров
Каталог товаров
Назад
Все категории
Назад

BSC0911NDATMA1

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 2,5Вт; PG-TISON-8
609 ₽
цена с НДС
  • 1 шт
    609 ₽
  • 10 шт
    394 ₽
  • 100 шт
    271 ₽
  • 500 шт
    219 ₽
  • 1000 шт
    202 ₽
  • 2000 шт
    188 ₽
  • 5000 шт
    173 ₽
  • 10000 шт
    163 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 609 ₽
При покупке кэшбэк 91 балл
Добавить в корзину
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

BSC0911NDATMA1 характеристики
Серия OptiMOS™
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerTDFN
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 1W
Исполнение корпуса PG-TISON-8
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate, 4.5V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 25V
Ток стока (Id) @ 25°C 18A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 12V
  • Производитель
    Infineon Technologies

Характеристики
Серия OptiMOS™
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerTDFN
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 1W
Исполнение корпуса PG-TISON-8
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate, 4.5V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 25V
Ток стока (Id) @ 25°C 18A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 12V

BSC0911NDATMA1

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 2,5Вт; PG-TISON-8
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Infineon Technologies

Бесплатно доставим BSC0911NDATMA1 в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — массивы BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить BSC0911NDATMA1 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
ALD1101ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
35 шт - 4-6 недель
от 2068 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 310
ALD1101PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
42 шт - 4-6 недель
от 1932 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 290
ALD1102PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
17 шт - 4-6 недель
от 1932 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 290
ALD1102SAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
28 шт - 4-6 недель
от 1499 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 225
ALD1103PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
454 шт - 4-6 недель
от 2169 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 325
ALD1103SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
24 шт - 4-6 недель
от 2090 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 314
ALD1105PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
1398 шт - 4-6 недель
от 1510 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 227
ALD1105SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
41 шт - 4-6 недель
от 1510 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 227
ALD1106PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
1638 шт - 4-6 недель
от 1584 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 238
ALD1107PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
1205 шт - 4-6 недель
от 1613 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 242
ALD1107SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
106 шт - 4-6 недель
от 1398 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 210
ALD110800APCL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
7 шт - 4-6 недель
от 2155 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 323
Смотреть все
Выберите ваш город