Каталог товаров
Назад

BSC0911NDATMA1

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 2,5Вт; PG-TISON-8
251
цена с НДС
  • 1 шт
    251 ₽
  • 10 шт
    193 ₽
  • 25 шт
    177 ₽
  • 100 шт
    142 ₽
  • 250 шт
    140 ₽
  • 500 шт
    120 ₽
  • 1000 шт
    112 ₽
  • 2500 шт
    111 ₽
  • 5000 шт
    102 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 251
При покупке кэшбэк 37 баллов
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

BSC0911NDATMA1 характеристики

Серия OptiMOS™
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerTDFN
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 1W
Исполнение корпуса PG-TISON-8
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate, 4.5V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 25V
Ток стока (Id) @ 25°C 18A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 12V
  • Производитель
    Infineon Technologies

Характеристики

Серия OptiMOS™
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerTDFN
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 1W
Исполнение корпуса PG-TISON-8
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate, 4.5V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 25V
Ток стока (Id) @ 25°C 18A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 12V

BSC0911NDATMA1

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 2,5Вт; PG-TISON-8
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Infineon Technologies

Бесплатно доставим BSC0911NDATMA1 в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — массивы BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить BSC0911NDATMA1 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
25 шт - 4-6 недель
от 1761 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 264
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
20 шт - 4-6 недель
от 1582 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 237
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
40 шт - 4-6 недель
от 1582 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 237
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
43 шт - 4-6 недель
от 1280 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 192
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
34 шт - 4-6 недель
от 1701 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 255
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
45 шт - 4-6 недель
от 1701 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 255
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
139 шт - 4-6 недель
от 1233 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 185
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
40 шт - 4-6 недель
от 1236 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 185
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
188 шт - 4-6 недель
от 1230 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 185
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
3011 шт - 4-6 недель
от 1236 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 185
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
152 шт - 4-6 недель
от 1230 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 185
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
31 шт - 4-6 недель
от 1146 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 172