BSC0911NDATMA1 от 275 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 2,5Вт; PG-TISON-8, Infineon Technologies

BSC0911NDATMA1 характеристики	Выбрать все
Серия	OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1W
Исполнение корпуса	PG-TISON-8
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	18A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 12V

Характеристики	Выбрать все
Серия	OptiMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1W
Исполнение корпуса	PG-TISON-8
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	18A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 12V