Каталог товаров
Назад

BSC0911NDATMA1

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 2,5Вт; PG-TISON-8
254
цена с НДС
  • 1 шт
    254 ₽
  • 10 шт
    195 ₽
  • 100 шт
    143 ₽
  • 500 шт
    126 ₽
  • 1000 шт
    124 ₽
  • 5000 шт
    101 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 254
При покупке кэшбэк 38 баллов
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

BSC0911NDATMA1 характеристики

Серия OptiMOS™
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerTDFN
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 1W
Исполнение корпуса PG-TISON-8
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate, 4.5V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 25V
Ток стока (Id) @ 25°C 18A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 12V
  • Производитель
    Infineon Technologies

Характеристики

Серия OptiMOS™
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerTDFN
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 1W
Исполнение корпуса PG-TISON-8
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate, 4.5V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 25V
Ток стока (Id) @ 25°C 18A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 12V

BSC0911NDATMA1

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 2,5Вт; PG-TISON-8
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Infineon Technologies

Бесплатно доставим BSC0911NDATMA1 в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — массивы BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить BSC0911NDATMA1 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
35 шт - 4-6 недель
от 1747 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 262
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
33 шт - 4-6 недель
от 1569 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 235
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
14 шт - 4-6 недель
от 1569 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 235
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
43 шт - 4-6 недель
от 1269 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 190
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
286 шт - 4-6 недель
от 1697 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 255
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
29 шт - 4-6 недель
от 1697 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 255
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
700 шт - 4-6 недель
от 1226 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 184
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
40 шт - 4-6 недель
от 1226 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 184
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
904 шт - 4-6 недель
от 1226 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 184
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
1541 шт - 4-6 недель
от 1226 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 184
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
350 шт - 4-6 недель
от 1226 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 184
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
66 шт - 4-6 недель
от 1137 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 171