Каталог товаров
Назад

BSC072N03LDGATMA1

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON


BSC072N03LDGATMA1 характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия OptiMOS™
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerVDFN
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 57W
Исполнение корпуса PG-TDSON-8 Dual
Base Part Number BSC072N03
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 11.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 15V

Характеристики

Производитель Infineon Technologies
Серия OptiMOS™
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerVDFN
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 57W
Исполнение корпуса PG-TDSON-8 Dual
Base Part Number BSC072N03
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 11.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 15V

BSC072N03LDGATMA1

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
BSC072N03LDGATMA1
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на BSC072N03LDGATMA1. Транзисторы — полевые — массивы производства Infineon Technologies доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы BSC072N03LDGATMA1 купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.

Недавно просмотренные


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
22 шт.
от 1079 ₽
+ 161850 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
82 шт.
от 883 ₽
+ 264900 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 883 ₽
+ 264900 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
29 шт.
от 664 ₽
+ 199200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
19 шт.
от 954 ₽
+ 143100 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
124 шт.
от 876 ₽
+ 131400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
25 шт.
от 649 ₽
+ 97350 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
43 шт.
от 585 ₽
+ 175500 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
90 шт.
от 649 ₽
+ 97350 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
3057 шт.
от 588 ₽
+ 176400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
66 шт.
от 635 ₽
+ 95250 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
18 шт.
от 588 ₽
+ 176400 баллов