BS250KL-TR1-E3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-92-18RM
Рассеивание мощности (Макс)	800mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3nC @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-92-18RM
Рассеивание мощности (Макс)	800mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3nC @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

BS250KL-TR1-E3

BS250KL-TR1-E3 характеристики