Описание

Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 190А; 375Вт

3 553 ₽

цена с НДС

51 шт
4-7 недель

1 шт

3 553 ₽
3 шт

3 210 ₽
10 шт

2 826 ₽
30 шт

2 544 ₽

Добавить в корзину 1 шт на сумму 3 553 ₽
При покупке кэшбэк 532 балла

Добавить в корзину

Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!

Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

Производитель

BASiC SEMICONDUCTOR

B2M032120Y характеристики
Корпус	TO247PLUS-4
Технология	SiC
Тип транзистора	N-MOSFET
Заряд затвора	40нC
Монтаж	THT
Вид упаковки	туба
Напряжение сток-исток	1,2кВ
Ток стока	60А
Сопротивление в открытом состоянии	50мОм
Рассеиваемая мощность	375Вт
Полярность	полевой
Вид канала	обогащенный
Напряжение затвор-исток	-4...18В
Ток стока в импульсном режиме	190А
Характеристики полупроводниковых элементов	вывод Кельвина

B2M032120Y

Описание

Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 190А; 375Вт

Производитель

BASiC SEMICONDUCTOR

Бесплатно доставим B2M032120Y в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Разное B2M032120Y BASiC SEMICONDUCTOR доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить B2M032120Y с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.