AUIRLZ24NS от 195 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 55V AUTO, Infineon Technologies

AUIRLZ24NS характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D2PAK
Рассеивание мощности (Макс)	3.8W (Ta), 45W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	55V
Ток стока (Id) @ 25°C	18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 11A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	480pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (Max)	±16V

Характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D2PAK
Рассеивание мощности (Макс)	3.8W (Ta), 45W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	55V
Ток стока (Id) @ 25°C	18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 11A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	480pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (Max)	±16V