AUIRL7766M2TR характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	DirectFET™ Isometric M4
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	DIRECTFET™ M4
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 31A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	66nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5305pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±16V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	DirectFET™ Isometric M4
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	DIRECTFET™ M4
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 31A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	66nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5305pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±16V

AUIRL7766M2TR

AUIRL7766M2TR характеристики