AUIRL1404Z характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220
Рассеивание мощности (Макс)	200W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.1 mOhm @ 75A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5080pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±16V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220
Рассеивание мощности (Макс)	200W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.1 mOhm @ 75A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5080pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±16V

AUIRL1404Z

AUIRL1404Z характеристики