AUIRL1404S характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D-PAK (TO-252AA)
Рассеивание мощности (Макс)	3.8W (Ta), 200W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 95A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6600pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.3V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D-PAK (TO-252AA)
Рассеивание мощности (Макс)	3.8W (Ta), 200W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 95A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6600pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.3V, 10V
Vgs (Max)	±20V

AUIRL1404S

AUIRL1404S характеристики