AUIRFU8405 характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	I-PAK
Рассеивание мощности (Макс)	163W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.98 mOhm @ 90A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	155nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5171pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	I-PAK
Рассеивание мощности (Макс)	163W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.98 mOhm @ 90A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	155nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5171pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

AUIRFU8405

AUIRFU8405 характеристики