AUIRFN8459TR от 516 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 50А; 50Вт; PQFN5X6, Infineon Technologies

AUIRFN8459TR характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	50W
Исполнение корпуса	PQFN (5x6)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.9 mOhm @ 40A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.9V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2250pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	50W
Исполнение корпуса	PQFN (5x6)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.9 mOhm @ 40A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.9V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2250pF @ 25V