AUIRF7769L2TR характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	DirectFET™ Isometric L8
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	DIRECTFET L8
Рассеивание мощности (Макс)	3.3W (Ta), 125W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 74A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	300nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11560pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	DirectFET™ Isometric L8
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	DIRECTFET L8
Рассеивание мощности (Макс)	3.3W (Ta), 125W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 74A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	300nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11560pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

AUIRF7769L2TR

AUIRF7769L2TR характеристики