AUIRF7675M2TR характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	DirectFET™ Isometric M2
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	DIRECTFET™ M2
Рассеивание мощности (Макс)	2.7W (Ta), 45W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	150V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	56 mOhm @ 11A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1360pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	DirectFET™ Isometric M2
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	DIRECTFET™ M2
Рассеивание мощности (Макс)	2.7W (Ta), 45W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	150V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	56 mOhm @ 11A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1360pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

AUIRF7675M2TR

AUIRF7675M2TR характеристики