AUIRF7484Q Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N CH 40V 14A 8-SO, Infineon Technologies

AUIRF7484Q характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SO
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 14A, 7V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 7V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3520pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SO
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 14A, 7V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 7V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3520pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7V
Vgs (Max)	±8V