AUIRF7478Q характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SO
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 4.2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1740pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SO
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 4.2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1740pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

AUIRF7478Q

AUIRF7478Q характеристики