AUIRF7343Q Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC, Infineon Technologies

AUIRF7343Q характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	55V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.7A, 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 4.7A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	740pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	55V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.7A, 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 4.7A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	740pF @ 25V