AUIRF7313QTR характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.4W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	6.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29 mOhm @ 6.9A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	755pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.4W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	6.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29 mOhm @ 6.9A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	755pF @ 25V

AUIRF7313QTR

AUIRF7313QTR характеристики