AUIRF7304Q Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC, Infineon Technologies

AUIRF7304Q характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	610pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	610pF @ 15V