AUIRF7103QTR от 177 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 3А; 2,4Вт; SO8, Infineon Technologies

AUIRF7103QTR характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.4W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	50V
Ток стока (Id) @ 25°C	3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	255pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.4W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	50V
Ток стока (Id) @ 25°C	3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	255pF @ 25V