Каталог товаров
Назад

AUIRF1010EZS

  • Описание
    MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
288
  • 241 шт
    288 ₽
Добавить в корзину 241 шт на сумму 69 408
При покупке кэшбэк 10 411 баллов


AUIRF1010EZS характеристики

Серия HEXFET®
Part Status Discontinued at Digi-Key
Упаковка Tube
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса D2PAK
Рассеивание мощности (Макс) 140W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 mOhm @ 51A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2810pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±20V
  • Производитель
    Infineon Technologies

Характеристики

Серия HEXFET®
Part Status Discontinued at Digi-Key
Упаковка Tube
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса D2PAK
Рассеивание мощности (Макс) 140W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 mOhm @ 51A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2810pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±20V

AUIRF1010EZS

  • Описание
    MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Infineon Technologies

Бесплатная доставка AUIRF1010EZS по России

Транзисторы — полевые — одиночные AUIRF1010EZS Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить AUIRF1010EZS с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Сопутствующие товары
Infineon Technologies
IC: driver; полумост MOSFET; high-/low-side,контроллер затвора
3,000 шт.
1661 шт.
от 753 ₽
+ 113

Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3
3,000 шт.
535 шт.
от 34 ₽
+ 26
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
13800 шт.
от 130 ₽
+ 20
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,7А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
588078 шт.
от 107 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
635732 шт.
от 107 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,2А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
12701 шт.
от 107 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
1 шт.
25249 шт.
от 88 ₽
+ 13
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,9А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
521592 шт.
от 102 ₽
+ 15
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
66998 шт.
от 98 ₽
+ 15
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
743385 шт.
от 107 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
1 шт.
24078 шт.
от 95 ₽
+ 14
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23
1 шт.
21248 шт.
от 102 ₽
+ 15
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,5А; 900мВт; SOT23
1 шт.
605734 шт.
от 88 ₽
+ 13