AS11P2TLRQ характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	6-UFDFN
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	6-DFN (1.2x1.0)
Количество схем	1
Base Part Number	AS11P2
Полоса пропускания -3 дБ	150MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	1.2 Ohm
Напряжение питания (V+)	1.65 V ~ 4.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	50 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	28ns, 21ns
Инжекция заряда	33pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	25pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	20nA
Перекрёстные помехи	-80dB @ 100kHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	STMicroelectronics
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	6-UFDFN
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	6-DFN (1.2x1.0)
Количество схем	1
Base Part Number	AS11P2
Полоса пропускания -3 дБ	150MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	1.2 Ohm
Напряжение питания (V+)	1.65 V ~ 4.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	50 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	28ns, 21ns
Инжекция заряда	33pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	25pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	20nA
Перекрёстные помехи	-80dB @ 100kHz

AS11P2TLRQ

AS11P2TLRQ характеристики