Каталог товаров
Назад

APTM120H29FG

  • Описание
    MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6


APTM120H29FG характеристики

Производитель Microsemi Corporation
Серия POWER MOS 7®
Part Status Active
Упаковка Bulk
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус SP6
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 780W
Исполнение корпуса SP6
Тип полевого транзистора 4 N-Channel (H-Bridge)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 1200V (1.2kV)
Ток стока (Id) @ 25°C 34A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 348 mOhm @ 17A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 374nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10300pF @ 25V

Характеристики

Производитель Microsemi Corporation
Серия POWER MOS 7®
Part Status Active
Упаковка Bulk
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус SP6
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 780W
Исполнение корпуса SP6
Тип полевого транзистора 4 N-Channel (H-Bridge)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 1200V (1.2kV)
Ток стока (Id) @ 25°C 34A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 348 mOhm @ 17A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 374nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10300pF @ 25V

APTM120H29FG

  • Описание
    MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
APTM120H29FG
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка APTM120H29FG по России

Транзисторы — полевые — массивы APTM120H29FG Microsemi Corporation доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить APTM120H29FG с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
18 шт.
от 1177 ₽
+ 176550 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
118 шт.
от 1060 ₽
+ 79500 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
86 шт.
от 769 ₽
+ 57675 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
161 шт.
от 714 ₽
+ 53550 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
122 шт.
от 728 ₽
+ 109200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
50 шт.
18 шт.
от 1336 ₽
+ 200400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 1048 ₽
+ 78600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
15 шт.
от 663 ₽
+ 49725 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 760 ₽
+ 798 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
50 шт.
42 шт.
от 1147 ₽
+ 172050 баллов
ALD210808PCL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
50 шт.
50 шт.
от 832 ₽
+ 312000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
50 шт.
37 шт.
от 1138 ₽
+ 170700 баллов