APTM100A46FT1G характеристики	Выбрать все
Производитель	Microsemi Corporation
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SP1
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	357W
Исполнение корпуса	SP1
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1000V (1kV)
Ток стока (Id) @ 25°C	19A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	552 mOhm @ 16A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	260nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6800pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Microsemi Corporation
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SP1
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	357W
Исполнение корпуса	SP1
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1000V (1kV)
Ток стока (Id) @ 25°C	19A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	552 mOhm @ 16A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	260nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6800pF @ 25V

APTM100A46FT1G

APTM100A46FT1G характеристики