APT97N65LC6 характеристики	Выбрать все
Производитель	Microsemi Corporation
Серия	CoolMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-264-3, TO-264AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-264 [L]
Рассеивание мощности (Макс)	862W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	650V
Ток стока (Id) @ 25°C	97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41 mOhm @ 48.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.5V @ 2.96mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	300nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7650pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Microsemi Corporation
Серия	CoolMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-264-3, TO-264AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-264 [L]
Рассеивание мощности (Макс)	862W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	650V
Ток стока (Id) @ 25°C	97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41 mOhm @ 48.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.5V @ 2.96mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	300nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7650pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

APT97N65LC6

APT97N65LC6 характеристики