Электронные компоненты
Офис работает удаленно, доставка в обычном режиме!
Каталог товаров
Назад

APT8020B2LLG

Характеристики

Производитель Microsemi Corporation
Серия POWER MOS 7®
Part Status Active
Упаковка Tube
Вид монтажа Through Hole
Корпус TO-247-3 Variant
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса T-MAX™ [B2]
Рассеивание мощности (Макс) 694W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 800V
Ток стока (Id) @ 25°C 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 19A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5200pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±30V

Характеристики

Производитель Microsemi Corporation
Серия POWER MOS 7®
Part Status Active
Упаковка Tube
Вид монтажа Through Hole
Корпус TO-247-3 Variant
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса T-MAX™ [B2]
Рассеивание мощности (Макс) 694W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 800V
Ток стока (Id) @ 25°C 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 19A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5200pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±30V

Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на APT8020B2LLG. Transistors - FETs, MOSFETs - Single производства Microsemi Corporation доступны для заказа в нашей компании.

Transistors - FETs, MOSFETs - Single APT8020B2LLG купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.