APT40N60JCU2 характеристики	Выбрать все
Производитель	Microsemi Corporation
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227-4, miniBLOC
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-227
Рассеивание мощности (Макс)	290W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.9V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	259nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7015pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Microsemi Corporation
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227-4, miniBLOC
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-227
Рассеивание мощности (Макс)	290W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.9V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	259nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7015pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

APT40N60JCU2

APT40N60JCU2 характеристики