AP1012A характеристики	Выбрать все
Производитель	AKM Semiconductor Inc.
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	24-WFQFN Exposed Pad
Технология	Power MOSFET
Рабочая температура	-30°C ~ 150°C (TJ)
Особенности	-
Интерфейс	Logic
Применение	General Purpose
Исполнение корпуса	24-QFN (4x4)
Напряжение питания	2.7 V ~ 5.5 V
Выходной ток на канал	1.3A
Повторяющийся импульсный ток	3A
Конфигурация выхода	Half Bridge (4)
Защита от отказов	Over Temperature, UVLO
Тип нагрузки	Inductive
Сопротивление Rds On (Номинальное)	180 mOhm LS, 180 mOhm HS
Напряжение нагрузки	2 V ~ 18 V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	AKM Semiconductor Inc.
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	24-WFQFN Exposed Pad
Технология	Power MOSFET
Рабочая температура	-30°C ~ 150°C (TJ)
Особенности	-
Интерфейс	Logic
Применение	General Purpose
Исполнение корпуса	24-QFN (4x4)
Напряжение питания	2.7 V ~ 5.5 V
Выходной ток на канал	1.3A
Повторяющийся импульсный ток	3A
Конфигурация выхода	Half Bridge (4)
Защита от отказов	Over Temperature, UVLO
Тип нагрузки	Inductive
Сопротивление Rds On (Номинальное)	180 mOhm LS, 180 mOhm HS
Напряжение нагрузки	2 V ~ 18 V

AP1012A

AP1012A характеристики