AOY2610E характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	AlphaSGT™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-251B
Рассеивание мощности (Макс)	59.5W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	AlphaSGT™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-251B
Рассеивание мощности (Макс)	59.5W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

AOY2610E

AOY2610E характеристики