AOW7S60 от 104 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5А; TO262, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOW7S60 характеристики	Выбрать все
Серия	aMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-262
Рассеивание мощности (Макс)	104W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 3.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	372pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Серия	aMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-262
Рассеивание мощности (Макс)	104W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 3.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	372pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V