AOW284 Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 82А; 125Вт; TO262, Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOW284 характеристики	Выбрать все
Серия	AlphaMOS
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-262
Рассеивание мощности (Макс)	1.9W (Ta), 250W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	80V
Ток стока (Id) @ 25°C	15A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5154pF @ 40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	AlphaMOS
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-262
Рассеивание мощности (Макс)	1.9W (Ta), 250W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	80V
Ток стока (Id) @ 25°C	15A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5154pF @ 40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V