AOTF286L характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 Full Pack
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220-3F
Рассеивание мощности (Макс)	2.2W (Ta), 37.5W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	80V
Ток стока (Id) @ 25°C	13.5A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	63nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3142pF @ 40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 Full Pack
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220-3F
Рассеивание мощности (Макс)	2.2W (Ta), 37.5W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	80V
Ток стока (Id) @ 25°C	13.5A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	63nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3142pF @ 40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V

AOTF286L

AOTF286L характеристики