AOT474_002 характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220-3
Рассеивание мощности (Макс)	1.9W (Ta), 417W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	75V
Ток стока (Id) @ 25°C	9A (Ta), 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.3 mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3370pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220-3
Рассеивание мощности (Макс)	1.9W (Ta), 417W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	75V
Ток стока (Id) @ 25°C	9A (Ta), 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.3 mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3370pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

AOT474_002

AOT474_002 характеристики